Технические характеристики
Поставщик | Goford |
Тип устройства | P |
Корпус | DFN3*3-8L |
Технология кристалла | Trench Mosfet |
Напряжение сток-исток, макс., В | -30 |
Ток стока, макс., А | -16 |
Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, тип., мОм | 8.5 |
Сопротивление в открытом состоянии, 4.5 В, тип., мОм | 11.5 |
Файлы / Документы
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.