Технические характеристики
Поставщик | KEC Corporation |
Тип устройства | IGBT |
Максимальный средний прямой ток, А | 25 |
Корпус | TO-3P(N)-E |
Напряжение Коллектор - Эмиттер, В | 1350 |
Напряжение База - Эмиттер, В | ±20 |
Пост. Ток коллектора, Ic, A (T=25°C) | 50 |
Пост. Ток коллектора, Ic, A (T=100°C) | 25 |
Импульсный ток, А | 60 |
Рассеиваемая мощность, Pd, Вт | 220 |
Мин. Пороговое напряжение затвора, Vge, В | 4.5 |
Макс. Пороговое напряжение затвора, Vge, В | 7.5 |
Напряжение насыщения эмиттер-коллектор, Vce, В | 1.85 |
Верхняя рабочая температура (°С) | 150 |
Файлы / Документы
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.