Технические характеристики
Поставщик | XinerSemi |
Тип устройства | IGBT |
Корпус | TO-247 |
Напряжение Коллектор - Эмиттер, В | 1200 |
Напряжение База - Эмиттер, В | 6.5 |
Пост. Ток коллектора, Ic, A (T=25°C) | 80 |
Пост. Ток коллектора, Ic, A (T=100°C) | 40 |
Импульсный ток, А | 120 |
Импульсное напряжение, В | 2.2 |
Рассеиваемая мощность, Pd, Вт | 480 |
Мин. Пороговое напряжение затвора, Vge, В | 5.5 |
Напряжение насыщения эмиттер-коллектор, Vce, В | 1.8 |
Файлы / Документы
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.