Новости

Taiwan Semiconductor выпущен новый 100V N-Channel MOSFET

Taiwan Semiconductor представила новый N-канальный Power MOSFET TSM900N10. Напряжение Vds: 100 V. Сопротивление Rds(on): 90 mOm @VGS 10V. С использованием улучшенной Trench-технологии снижены потери на переключение и повышена эффективность DC/DC преобразователей. Транзистор выпускается в двух корпусах:

  • TO-251S (IPAK SL) - p/n TSM900N10CH X0G
  • TO-252 (DPAK)  - p/n TSM900N10CP ROG. 

С подробными характеристиками можно ознакомиться в Datasheet 

Для заказа образцов и запроса квоты под проект обратитесь к нам

Каталог компонентов

194021, г. Санкт-Петербург, ул. Политехническая, д. 22

Телефон: +7 (812) 318-18-95. Факс: +7 (812) 318-18-94. E-mail: info@ultran.ru

© 2009-2015 ООО «Ультран». Все права защищены.

ChipFind - поисковая система по электронным компонентамEEN