11N80
Документация
Документация транзисторы Mosfet11N80
Технические параметры
Производитель | Unisonic |
Тип | N |
Технология | Planar |
Статус | Active |
Корпус | TO-220F1,TO-220F2,TO-3P |
Напряжение сток-исток, макс. [В] | 800 В |
Напряжение затвор-исток, макс. [В] | 30 В |
Ток стока, макс. [А] | 11 А |
Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, тип. [мОм] | - мОм |
Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, макс. [мОм] | 1 мОм |
Сопротивление в открытом состоянии, 4.5 В, тип. [мОм] | мОм |
Сопротивление в открытом состоянии, 2.5 В, тип. [мОм] | мОм |
Сопротивление в открытом состоянии, 1.8 В, макс. [мОм] | мОм |
Пороговое напряжение затвора, мин. [В] | 3 В |
Пороговое напряжение затвора, макс. [В] | 5 В |
Пороговое напряжение затвора, тип. [В] | В |
Время нарастания фронта [нс] | 260 нс |
Время спада фронта [нс] | 140 нс |
Прямое падение напряжения на диоде в цепи исток-сток, макс. [В] | 1.4 В |
Ток через исток в цепи диода, постоянный макс. [А] | 11 А |
194021, г. Санкт-Петербург, ул. Политехническая, д. 22
Телефон: +7 (812) 318-18-95. Факс: +7 (812) 318-18-94. E-mail: info@ultran.ru
© 2009-2015 ООО «Ультран». Все права защищены.