UTT8P03-H

Документация

Документация транзисторы Mosfet

UTT8P03-H

Технические параметры

Производитель Unisonic
Тип P
Технология Trench
Статус Active
Корпус DFN3020-8
Напряжение сток-исток, макс. [В] -30 В
Напряжение затвор-исток, макс. [В] 20 В
Ток стока, макс. [А] -8 А
Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, тип. [мОм] 21 мОм
Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, макс. [мОм] 26 мОм
Сопротивление в открытом состоянии, 4.5 В, тип. [мОм] 27 мОм
Сопротивление в открытом состоянии, 4.5 В, макс. [мОм] 34 мОм
Сопротивление в открытом состоянии, 2.5 В, тип. [мОм] мОм
Сопротивление в открытом состоянии, 1.8 В, макс. [мОм] мОм
Пороговое напряжение затвора, мин. [В] -0.8 В
Пороговое напряжение затвора, макс. [В] -1.8 В
Пороговое напряжение затвора, тип. [В] В
Время нарастания фронта [нс] 18.8 нс
Время спада фронта [нс] 12.3 нс
Прямое падение напряжения на диоде в цепи исток-сток, макс. [В] -1 В
Ток через исток в цепи диода, постоянный макс. [А] -1 А

Каталог компонентов

194021, г. Санкт-Петербург, ул. Политехническая, д. 22

Телефон: +7 (812) 318-18-95. Факс: +7 (812) 318-18-94. E-mail: info@ultran.ru

© 2009-2015 ООО «Ультран». Все права защищены.

ChipFind - поисковая система по электронным компонентамEEN