2NN60-CBS
Документация
Документация транзисторы Mosfet
2NN60-CBS
Технические параметры
| Производитель | Unisonic |
| Тип | Dual N |
| Технология | enhancement mode |
| Статус | Active |
| Корпус | DFN5060-8 |
| Напряжение сток-исток, макс. [В] | 600 В |
| Напряжение затвор-исток, макс. [В] | 30 В |
| Ток стока, макс. [А] | 2 А |
| Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, тип. [мОм] | мОм |
| Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, макс. [мОм] | 8500 мОм |
| Сопротивление в открытом состоянии, 4.5 В, тип. [мОм] | мОм |
| Сопротивление в открытом состоянии, 4.5 В, макс. [мОм] | - мОм |
| Сопротивление в открытом состоянии, 2.5 В, тип. [мОм] | мОм |
| Сопротивление в открытом состоянии, 2.5 В, макс. [мОм] | - мОм |
| Сопротивление в открытом состоянии, 1.8 В, макс. [мОм] | - мОм |
| Пороговое напряжение затвора, мин. [В] | 2 В |
| Пороговое напряжение затвора, макс. [В] | 4 В |
| Пороговое напряжение затвора, тип. [В] | В |
Каталог компонентов
194021, г. Санкт-Петербург, ул. Политехническая, д. 22
Телефон: +7 (812) 318-18-95. Факс: +7 (812) 318-18-94. E-mail: info@ultran.ru
© 2009-2015 ООО «Ультран». Все права защищены.
