2N60-CB

Документация

Документация транзисторы Mosfet

2N60-CB

Технические параметры

Производитель Unisonic
Тип N
Технология Planar
Статус Active
Корпус DFN5060-8,TO-126,TO-251,TO-251S,TO-251S2,TO-251S4,TO-252,TO-252D,SOT-223,TO-220,TO-220F,TO-220F1,TO-220F2,TO-220F3
Напряжение сток-исток, макс. [В] 600 В
Напряжение затвор-исток, макс. [В] 30 В
Ток стока, макс. [А] 2 А
Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, тип. [мОм] - мОм
Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, макс. [мОм] 5 мОм
Сопротивление в открытом состоянии, 4.5 В, тип. [мОм] мОм
Сопротивление в открытом состоянии, 2.5 В, тип. [мОм] мОм
Сопротивление в открытом состоянии, 1.8 В, макс. [мОм] мОм
Пороговое напряжение затвора, мин. [В] 2.5 В
Пороговое напряжение затвора, макс. [В] 4.5 В
Пороговое напряжение затвора, тип. [В] В
Время нарастания фронта [нс] 24 нс
Время спада фронта [нс] 29 нс
Прямое падение напряжения на диоде в цепи исток-сток, макс. [В] 1.4 В
Ток через исток в цепи диода, постоянный макс. [А] 2 А

Каталог компонентов

194021, г. Санкт-Петербург, ул. Политехническая, д. 22

Телефон: +7 (812) 318-18-95. Факс: +7 (812) 318-18-94. E-mail: info@ultran.ru

© 2009-2015 ООО «Ультран». Все права защищены.

ChipFind - поисковая система по электронным компонентамEEN