1N60-CB
Документация
Документация транзисторы Mosfet1N60-CB
Технические параметры
Производитель | Unisonic |
Тип | N |
Технология | Planar |
Статус | Active |
Корпус | DFN5060-8,TO-92,SOT-223,TO-251,TO-251S,TO-251S2,TO-252 |
Напряжение сток-исток, макс. [В] | 600 В |
Напряжение затвор-исток, макс. [В] | 30 В |
Ток стока, макс. [А] | 1 А |
Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, тип. [мОм] | 8 мОм |
Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, макс. [мОм] | 10 мОм |
Сопротивление в открытом состоянии, 4.5 В, тип. [мОм] | мОм |
Сопротивление в открытом состоянии, 2.5 В, тип. [мОм] | мОм |
Сопротивление в открытом состоянии, 1.8 В, макс. [мОм] | мОм |
Пороговое напряжение затвора, мин. [В] | 2 В |
Пороговое напряжение затвора, макс. [В] | 4 В |
Пороговое напряжение затвора, тип. [В] | В |
Время нарастания фронта [нс] | 20 нс |
Время спада фронта [нс] | 23 нс |
Прямое падение напряжения на диоде в цепи исток-сток, макс. [В] | 1.4 В |
Ток через исток в цепи диода, постоянный макс. [А] | 1 А |
194021, г. Санкт-Петербург, ул. Политехническая, д. 22
Телефон: +7 (812) 318-18-95. Факс: +7 (812) 318-18-94. E-mail: info@ultran.ru
© 2009-2015 ООО «Ультран». Все права защищены.