TSM7ND65CI
TSM7ND65CI
Технические параметры
| Производитель | Taiwan Semiconductor |
| Тип | N |
| Технология | Planar |
| Статус | Active |
| Корпус | ITO-220 |
| Напряжение сток-исток, макс. [В] | 650 В |
| Напряжение затвор-исток, макс. [В] | 30 В |
| Ток стока, макс. [А] | 7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, тип. [мОм] | 1000 мОм |
| Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, макс. [мОм] | 1350 мОм |
| Сопротивление в открытом состоянии, 4.5 В, тип. [мОм] | мОм |
| Сопротивление в открытом состоянии, 4.5 В, макс. [мОм] | мОм |
| Сопротивление в открытом состоянии, 2.5 В, тип. [мОм] | мОм |
| Сопротивление в открытом состоянии, 2.5 В, макс. [мОм] | мОм |
| Сопротивление в открытом состоянии, 1.8 В, макс. [мОм] | мОм |
| Пороговое напряжение затвора, мин. [В] | 2.5 В |
| Пороговое напряжение затвора, макс. [В] | 3.8 В |
| Пороговое напряжение затвора, тип. [В] | 2.9 В |
| Полный заряд затвора, 10 В [нКл] | 25 нКл |
| Полный заряд затвора, 4.5 В [нКл] | нКл |
| Заряд Миллера, [нКл] | 8.1 нКл |
| Заряд затвор-исток [нКл] | 5.3 нКл |
| Температура перехода, макс. [°C] | 150 °C |
| Входная ёмкость, динамическая [пФ] | 1124 пФ |
| Ёмкость обратной передачи | 3 |
Каталог компонентов
194021, г. Санкт-Петербург, ул. Политехническая, д. 22
Телефон: +7 (812) 318-18-95. Факс: +7 (812) 318-18-94. E-mail: info@ultran.ru
© 2009-2015 ООО «Ультран». Все права защищены.
