TSM8N80CI
TSM8N80CI
Технические параметры
Производитель | Taiwan Semiconductor |
Тип | N |
Технология | Planar |
Статус | Active |
Корпус | ITO-220 |
Напряжение сток-исток, макс. [В] | 800 В |
Напряжение затвор-исток, макс. [В] | 30 В |
Ток стока, макс. [А] | 8 А |
Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, тип. [мОм] | 1100 мОм |
Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, макс. [мОм] | 1400 мОм |
Сопротивление в открытом состоянии, 4.5 В, тип. [мОм] | мОм |
Сопротивление в открытом состоянии, 4.5 В, макс. [мОм] | мОм |
Сопротивление в открытом состоянии, 2.5 В, тип. [мОм] | мОм |
Сопротивление в открытом состоянии, 2.5 В, макс. [мОм] | мОм |
Сопротивление в открытом состоянии, 1.8 В, макс. [мОм] | мОм |
Пороговое напряжение затвора, мин. [В] | 2 В |
Пороговое напряжение затвора, макс. [В] | 4 В |
Пороговое напряжение затвора, тип. [В] | В |
Полный заряд затвора, 10 В [нКл] | 41 нКл |
Полный заряд затвора, 4.5 В [нКл] | нКл |
Заряд Миллера, [нКл] | 11 нКл |
Заряд затвор-исток [нКл] | 10 нКл |
Температура перехода, макс. [°C] | 150 °C |
Входная ёмкость, динамическая [пФ] | 1921 пФ |
Ёмкость обратной передачи | 12 |
194021, г. Санкт-Петербург, ул. Политехническая, д. 22
Телефон: +7 (812) 318-18-95. Факс: +7 (812) 318-18-94. E-mail: info@ultran.ru
© 2009-2015 ООО «Ультран». Все права защищены.