TSM052NB03CR

TSM052NB03CR

Технические параметры

Производитель Taiwan Semiconductor
Тип N
Технология Trench
Статус Active
Корпус PDFN56
Напряжение сток-исток, макс. [В] 30 В
Напряжение затвор-исток, макс. [В] 20 В
Ток стока, макс. [А] 90 А
Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, тип. [мОм] 3 мОм
Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, макс. [мОм] 5 мОм
Сопротивление в открытом состоянии, 4.5 В, тип. [мОм] 5 мОм
Сопротивление в открытом состоянии, 4.5 В, макс. [мОм] 8 мОм
Сопротивление в открытом состоянии, 2.5 В, тип. [мОм] мОм
Сопротивление в открытом состоянии, 2.5 В, макс. [мОм] мОм
Сопротивление в открытом состоянии, 1.8 В, макс. [мОм] мОм
Пороговое напряжение затвора, мин. [В] 1 В
Пороговое напряжение затвора, макс. [В] 2.5 В
Пороговое напряжение затвора, тип. [В] 1.6 В
Полный заряд затвора, 10 В [нКл] 41 нКл
Полный заряд затвора, 4.5 В [нКл] 21 нКл
Заряд Миллера, [нКл] 13 нКл
Заряд затвор-исток [нКл] 5 нКл
Температура перехода, макс. [°C] 175 °C
Входная ёмкость, динамическая [пФ] 2294 пФ
Ёмкость обратной передачи 249

Каталог компонентов

194021, г. Санкт-Петербург, ул. Политехническая, д. 22

Телефон: +7 (812) 318-18-95. Факс: +7 (812) 318-18-94. E-mail: info@ultran.ru

© 2009-2015 ООО «Ультран». Все права защищены.

ChipFind - поисковая система по электронным компонентамEEN