TSM110NB04DCR

TSM110NB04DCR

Технические параметры

Производитель Taiwan Semiconductor
Тип Dual N
Технология Trench
Статус Active
Корпус PDFN56,Dual
Напряжение сток-исток, макс. [В] 40 В
Напряжение затвор-исток, макс. [В] 20 В
Ток стока, макс. [А] 48 А
Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, тип. [мОм] 9 мОм
Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, макс. [мОм] 11 мОм
Сопротивление в открытом состоянии, 4.5 В, тип. [мОм] мОм
Сопротивление в открытом состоянии, 4.5 В, макс. [мОм] мОм
Сопротивление в открытом состоянии, 2.5 В, тип. [мОм] мОм
Сопротивление в открытом состоянии, 2.5 В, макс. [мОм] мОм
Сопротивление в открытом состоянии, 1.8 В, макс. [мОм] мОм
Пороговое напряжение затвора, мин. [В] 2 В
Пороговое напряжение затвора, макс. [В] 4 В
Пороговое напряжение затвора, тип. [В] 2.9 В
Полный заряд затвора, 10 В [нКл] 25 нКл
Полный заряд затвора, 4.5 В [нКл] нКл
Заряд Миллера, [нКл] 6 нКл
Заряд затвор-исток [нКл] 7 нКл
Температура перехода, макс. [°C] 150 °C
Входная ёмкость, динамическая [пФ] 1506 пФ
Ёмкость обратной передачи 75

Каталог компонентов

194021, г. Санкт-Петербург, ул. Политехническая, д. 22

Телефон: +7 (812) 318-18-95. Факс: +7 (812) 318-18-94. E-mail: info@ultran.ru

© 2009-2015 ООО «Ультран». Все права защищены.

ChipFind - поисковая система по электронным компонентамEEN