TQM150NB04DCR

TQM150NB04DCR

Технические параметры

Производитель Taiwan Semiconductor
Тип Dual N
Технология Trench
Статус NRND
Корпус PDFN56U,Dual
Напряжение сток-исток, макс. [В] 40 В
Напряжение затвор-исток, макс. [В] 20 В
Ток стока, макс. [А] 39 А
Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, тип. [мОм] 10 мОм
Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, макс. [мОм] 15 мОм
Сопротивление в открытом состоянии, 4.5 В, тип. [мОм] мОм
Сопротивление в открытом состоянии, 4.5 В, макс. [мОм] мОм
Сопротивление в открытом состоянии, 2.5 В, тип. [мОм] мОм
Сопротивление в открытом состоянии, 2.5 В, макс. [мОм] мОм
Сопротивление в открытом состоянии, 1.8 В, макс. [мОм] мОм
Пороговое напряжение затвора, мин. [В] 1.8 В
Пороговое напряжение затвора, макс. [В] 4 В
Пороговое напряжение затвора, тип. [В] 2.8 В
Полный заряд затвора, 10 В [нКл] 18 нКл
Полный заряд затвора, 4.5 В [нКл] нКл
Заряд Миллера, [нКл] 4 нКл
Заряд затвор-исток [нКл] 6 нКл
Температура перехода, макс. [°C] 175 °C
Входная ёмкость, динамическая [пФ] 1135 пФ
Ёмкость обратной передачи 52

Каталог компонентов

194021, г. Санкт-Петербург, ул. Политехническая, д. 22

Телефон: +7 (812) 318-18-95. Факс: +7 (812) 318-18-94. E-mail: info@ultran.ru

© 2009-2015 ООО «Ультран». Все права защищены.

ChipFind - поисковая система по электронным компонентамEEN