1N5408G

Документация

Документация Диоды

1N5408G

Технические параметры

Производитель Taiwan Semiconductor
Тип Standard
Технология
Корпус DO-201AD
Конфигурация Single
Семейство Rectifier
время обратного восстановления (нс)
Квалификация AEC-Q Yes
Повторяющееся пиковое обратное напряжение 1000
Прямой ток 3
мпульсный прямой ток 125
Обратный ток (утечки)
Обратный ток (утечки) при V
Прямое падение напряжения 1
Прямое падение напряжения при mA
Ёмкость перехода (пФ)
Ёмкость перехода (пФ) при MHz
Ёмкость перехода (пФ) при V
Максимальная температура кристалла 150
Рассеиваемая мощность
Допуск
Номинальное напряжение стабилизации
Напряжение стабилизации, мин
Напряжение стабилизации, макс
Напряжение стабилизации, макс при mA
Максимальное сопротивление при тестовом токе
Максимальное сопротивление при минимальном токе
Максимальное сопротивление при минимальном токе при mA

Каталог компонентов

194021, г. Санкт-Петербург, ул. Политехническая, д. 22

Телефон: +7 (812) 318-18-95. Факс: +7 (812) 318-18-94. E-mail: info@ultran.ru

© 2009-2015 ООО «Ультран». Все права защищены.

ChipFind - поисковая система по электронным компонентамEEN