Технические характеристики
Поставщик | Global Power Technology |
Тип устройства | N |
Корпус | SMD1.0 |
Технология кристалла | SiC |
Напряжение сток-исток, макс., В | 1200 |
Напряжение затвор-исток, макс., В | 25 |
Ток стока, макс., А | 40 |
Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, макс., мОм | 80 |
Файлы / Документы
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.