Компания Taiwan Semiconductor выпустила второе поколение N-Channel MOSFETs Super Junction TSM60NBXXX

Компания Taiwan Semiconductor выпустила второе поколение мощных MOSFET-транзисторов напряжением 600 В - серию TSM60NBXXX, которые изготовлены по технологии Super-Junction и отличаются более высокой скоростью и производительностью при переключении, повышенным показателем качества и ускоренным восстановлением работоспособности.

Плоскостные N-канальные MOSFET-транзисторы с напряжением 600 В из семейства TSM60NBxxx обеспечивают RDS(on) (макс.) в диапазоне от 190 мОм до 1,4 Ом. Усовершенствованная технология Super-Junction разработана компанией самостоятельно и специально предназначена для устранения ограничений с точки зрения производительности, присутствующих в MOSFET-транзисторах, изготовленных с применением планарной технологии. Это достигается за счет повышения показателя качества RDS(on) * Qg устройств для переключения нагрузки. Низкое значение RDS(on), низкий заряд затвора (Qg), а также более короткое время восстановления при переключении в обратное направление позволяют снизить потери на проводимость и коммутационные потери. Для устройств переключения мощности в условиях ограниченности пространства предлагается широкий ассортимент производительных, надежных, соответствующих требованиям RoHS и REACH корпусов без содержания галогенов.

Выпускаются в корпусах: ITO-220, ITO-220S, TO-220, TO-263 (D2-PAK), TO-251 (I-PAK), TO-252 (D-PAK)

Более детально с параметрами можно ознакомиться, перейдя по ссылке

Для заказа образцов и получения цен обращайтесь в нашу компанию.