Мощные TVS диоды в корпусе DO-218AB от Taiwan Semiconductor

Компания Taiwan Semiconductor объявила о начале производства мощных однонаправленных TVS диодов в корпусе DO-218AB трех серий TLD5S, TLD6S и TLD8S.

TLD5S – c максимальной пиковой мощностью рассеивания 3600 Ватт

TLD6S – c максимальной пиковой мощностью рассеивания 4600 Ватт

TLD8S – c максимальной пиковой мощностью рассеивания 6600 Ватт

Максимальная пиковая мощность  при форме волны 10/1000μs.

Прямое напряжение при прямом токе 100А - 2 / 1.9 / 1.8 В для TLD5S, TLD6S и TLD8S соответственно.

Тепловое сопротивление перехода кристалл - корпус 7.8 / 7.75 / 7.6 °C/Вт для TLD5S, TLD6S и TLD8S соответственно.

Диапазон постоянного обратного напряжения 10-43В.

Рабочий диапазон температур кристалла Tj -55 to +175 °C

Квалифицированы по стандарту AEC-Q101.

Для запроса образцов и квот обращайтесь в нашу компанию