Технические характеристики
| Поставщик | |
| Тип устройства | Dual MOSFET |
| Тепловое сопротивление переход-корпус, R(j-c), C/W | 0.11 |
| Напряжение затвор-исток, макс., В | 22 |
| Максимальное сопротивление при тестовом токе, Ом | 4.5 |
| Напряжение затвор - исток мин., В | -7 |
| Сопротивление в открытом стостоянии, мОм (T = 25°С) | 4.1 |
| Пороговое напряжение затвор - исток, В | 5 |
| Максимальное рабочее напряжение (В) | 1200 |
| Номинальный ток (А) | 150 |
Файлы / Документы
Публикации
Мощные SiC-MOSFET-модули в компактном корпусе нового поколения от японской компании SanRex
В данной статье рассмотрены решения компании SanRex в области карбид - кремниевой силовой электроники.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.