Технические характеристики
Поставщик | Huangshan MJER Electronics Co., Ltd |
Тип устройства | Thyristor Diode module |
Максимальный ток в открытом состоянии, A | 55 |
Корпус | 1\4 |
Импульсный ток, А | 170 |
Импульсное напряжение, В | 1.5 |
Отпирающий постоянный ток управления, Igt, mA | 2.5 |
Отпирающее постоянное напряжение управления, Vgt, V | 100 |
Удерживающий ток, Ih, mA | 100 |
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии, di/dt, A/µs | 50 |
Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения, dv/dt, V/µs | 800 |
Напр. пробоя изоляции, Viso, V | 2500 |
Тепловое сопротивление переход-корпус, R(j-c), C/W | 0.53 |
Максимальное рабочее напряжение (В) | 2500 |
Верхняя рабочая температура (°С) | 125 |
Файлы / Документы
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.