Технические характеристики
| Поставщик | Huangshan MJER Electronics Co., Ltd |
| Тип устройства | Thyristor Diode module |
| Максимальный ток в открытом состоянии, A | 90 |
| Корпус | 1\4 |
| Импульсный ток, А | 270 |
| Импульсное напряжение, В | 1.94 |
| Отпирающий постоянный ток управления, Igt, mA | 2.5 |
| Отпирающее постоянное напряжение управления, Vgt, V | 100 |
| Удерживающий ток, Ih, mA | 100 |
| Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии, di/dt, A/µs | 100 |
| Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения, dv/dt, V/µs | 800 |
| Напр. пробоя изоляции, Viso, V | 2500 |
| Тепловое сопротивление переход-корпус, R(j-c), C/W | 0.28 |
| Максимальное рабочее напряжение (В) | 2500 |
| Верхняя рабочая температура (°С) | 125 |
Файлы / Документы
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.