Технические характеристики
Поставщик | Goford |
Тип устройства | N |
Корпус | DFN5*6-8L |
Технология кристалла | Multi-epi SJ mos |
Напряжение сток-исток, макс., В | 650 |
Ток стока, макс., А | 11 |
Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, тип., мОм | 330 |
Файлы / Документы
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.