Технические характеристики
| Поставщик | Unisonic Technologies (UTC) |
| Тип устройства | P |
| Статус | Active |
| Корпус | TO-252,DFN3030-8,DFN5060-8 |
| Технология кристалла | Trench |
| Мин. Пороговое напряжение затвора, Vge, В | -1.00 |
| Макс. Пороговое напряжение затвора, Vge, В | -3.00 |
| Напряжение сток-исток, макс., В | -30 |
| Напряжение затвор-исток, макс., В | 20 |
| Ток стока, макс., А | -26 |
| Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, тип., мОм | 30 |
| Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, макс., мОм | 40 |
| Сопротивление в открытом состоянии, 4.5 В, тип., мОм | 40.0 |
| Сопротивление в открытом состоянии, 4.5 В, макс., мОм | 60.0 |
| Время нарастания фронта, нс | 50.0 |
| Время спада фронта, нс | 180.0 |
| Прямое падение напряжения на диоде в цепи исток-сток, макс. [В] | -1.20 |
| Ток через исток в цепи диода, постоянный макс. [А] | -10.00 |
Файлы / Документы
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.