Технические характеристики
| Поставщик | XinerSemi |
| Тип устройства | IGBT |
| Корпус | TO-263 |
| Напряжение Коллектор - Эмиттер, В | 600 |
| Напряжение База - Эмиттер, В | 6.5 |
| Пост. Ток коллектора, Ic, A (T=25°C) | 38 |
| Пост. Ток коллектора, Ic, A (T=100°C) | 19 |
| Импульсный ток, А | 57 |
| Импульсное напряжение, В | 1.6 |
| Рассеиваемая мощность, Pd, Вт | 155 |
| Мин. Пороговое напряжение затвора, Vge, В | 5 |
| Напряжение насыщения эмиттер-коллектор, Vce, В | 1.7 |
Файлы / Документы
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.