Технические характеристики
| Поставщик | Unisonic Technologies (UTC) |
| Тип устройства | P |
| Статус | Active |
| Корпус | TO-252,TO-251,DFN5060-8 |
| Технология кристалла | Trench |
| Мин. Пороговое напряжение затвора, Vge, В | -2.00 |
| Макс. Пороговое напряжение затвора, Vge, В | -4.00 |
| Напряжение сток-исток, макс., В | -100 |
| Напряжение затвор-исток, макс., В | 20 |
| Ток стока, макс., А | -12 |
| Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, тип., мОм | - |
| Сопротивление в открытом состоянии, 10 В, макс., мОм | 200 |
| Сопротивление в открытом состоянии, 4.5 В, тип., мОм | - |
| Сопротивление в открытом состоянии, 4.5 В, макс., мОм | - |
| Время нарастания фронта, нс | 73.0 |
| Время спада фронта, нс | 57.0 |
| Прямое падение напряжения на диоде в цепи исток-сток, макс. [В] | -5.00 |
| Ток через исток в цепи диода, постоянный макс. [А] | -12.00 |
Файлы / Документы
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.